来源:快速技术
在IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星(准确地说是三星foundry )首次展示了采用3nm工艺制造的芯片,容量为256MB(32MB )的SRAM存储芯片,这也是新技术落地传统的第一步。
在三星的路线图中,14nm、10nm、7nm、3nm都是全新的工艺节点,其他都是11/8/6/5/4nm等升级改善型。
三星在3nm工艺上首次应用GAAFET (栅极场效应晶体管)技术,再次实现了晶体管结构的突破,是比目前FinFET立体晶体管更大的飞跃。
GAAFET技术还分为两种,一种是常规的GAAFET,使用纳米线作为晶体管鳍片( fin ),另一种是MBCFET )多桥沟道场效应晶体管
三星首款3nm SRAM芯片采用MBCFET,容量256Mb,面积56平方毫米,三星最引以为豪的是超低功耗,写入电压仅为0.23V。 这要感谢MBCFET的很多省电技术。
三星表示,与其他7LPP相比,3GAE工艺可使晶体管密度最多增加80%,性能最多可提高30%,功耗最多可降低50%。
这样,三星或许可以更好地抑制芯片的功耗、发热,避免所谓的“翻车”。