ITHome(IT之家) 4月28日消息，三星电子周四宣布，将在本季度，也就是未来几周内开始使用3GAE (初始的3nm级网格全能)技术进行大规模生产。 这不仅标志着业界第一个3nm级制造技术，也是第一个使用环形栅极场效应晶体管( GAAFETs )的节点。
“这是世界上第一个大规模生产的GAA 3纳米工艺，在提高技术上处于领先地位，”三星在一份报告中写道。
三星Foundry的3GAE工艺技术首次使用了GAA晶体管(三星将其称为“多桥沟道场效应晶体管( MBCFET )”)工艺。
据ITHome(IT之家)称，三星大约三年前正式发布了3GAE和3GAP流程节点。 在介绍使用3GAE技术制造的256 MB gaafetsram芯片时，该公司提取了很多数据。
三星表示，该工艺将实现30%的性能提高，50%的功耗降低，80%的晶体管密度(包括逻辑和SRAM晶体管的混合)。 但三星性能和功耗的实际组合如何发挥作用还有待观察。
理论上，与现在使用的Finfet相比，Gaafet有很多优点。 例如，大幅度降低晶体管的漏电流，也就是说有降低功耗，发挥晶体管性能的潜力。 这意味着更高的生产力和生产力。 另外，appliad materias公司最近的报告显示，GAAFETs可以将面积减少20%到30%。
当然，三星的3GAE只是“初期”的3nm级制造技术，3GAE可能主要供三星LSI (三星芯片开发部门)和科幻的其他阿尔法客户使用。 如果这些产品的产量和性能符合预期的话，不久就可以看到新品大量上市。
